光电组件，具有多个光电组件之装置以及光电组件之制造方法

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本发明涉及一种光电组件(1)，其包含半导体功能区(2)，半导体功能区(2)显示一活性区(400)以及一横向的主延伸方向，其中该半导体功能区具有至少一经由该活性区的缺口(9，27，29)，且在该缺口的区域中配置着一种连接用导电材料(8)，其至少在该缺口的一部份区域中在电性上与该活性区相隔开。此外，本发明另涉及该光电组件的制造方法以及一种具有多个光电组件的装置。该组件和该装置可完全制作在晶圆复合物中。 An optoelectronic component (1) is provided, which includes a semiconductor－function region (2) with an active area (400) and a lateral main－extension direction, where the semiconductor－function region includes at least a breach (9, 27, 29) through the active area, in the region of the breach a connection－conductor material (8) is arranged, which is electrically isolated (10) from the active area at least in a partial region of the breach. In addition, a method to produce such an optoelectronic component and a device with a number of optoelectronic components are provided. The components and the device can becompletely produced in a wafer－compound. [创作特点] 本发明的目的是提供一种光电组件，一种具有多个光电组件的装置以及该光电组件之一种简易的制造方法，各光电组件可简易地且成本有利地制成。; 本发明中上述目的以具备申请专利范围第1项特徵的光电组件，具备申请专利范围第16项特徵的装置以及具备申请专利范围第21项特徵的光电组件之制造方法来达成。本发明有利的其它形式描述在申请专利范围各附属项中。; 本发明的第一实施形式中，光电组件包含一种半导体功能区，其显示一活性区和一横向的主延伸方向，其中该半导体功能区具有至少一经由该活性区的缺口且该缺口之区域中配置着一种连接用导电材料，其至少在该缺口之一部份区域中在电性上与该活性区相隔离。; 依据本发明的另一实施形式，该光电组件包含一种半导体功能区，其显示一活性区和一横向的主延伸方向，其中该半导体功能区具有一与该活性区相邻的横向侧面且在横向中一种连接用导电材料配置在该侧面之後，该连接用导电材料至少在该侧面之一部份区域中在电性上与该活性区相隔离。该侧面在情况需要时可在横向中与该半导体功能区相邻接。该侧面在横向中特别是其一部份可与该半导体功能区相邻接。此外，该侧面可平坦地形成，即，其基本上不具备凸出区或凹入区，特别是横向中不具备凹口。; 一种由成型材料所构成的层较佳是配置在该半导体功能区之後，该成型材料层以无承载之方式来形成或在机械上以可承载的方式来形成。该成型材料层可广泛地以一种封罩，一种包封元件或一种稳定层之形式来形成，如以下仍将详述者。; 本发明的组件有利的方式是尽可能或完全在晶圆复合物中制成。成本较高及/或较昂贵的各别的加工步骤之数目在本发明的光电组件中可有利地下降。特别有利的是可避免各别的加工步骤。; 本发明中在光电组件制造时配置在载体层上的半导体层序列视为晶圆复合物，其用来形成多个半导体功能区。各个半导体功能区在该组件制造时至少一部份是与由半导体层序列之区域所构成的载体层相结合而形成。该载体层可藉由一种生长基板(其上例如以磊晶方式而制成该半导体层序列)来形成或包含一种生长基板。; 须指出：本发明中在光电组件制造时一种在晶圆复合物中产生於半导体层序列中的经由活性区之缺口可视为上述之缺口。; 特别是一种接触结构(其作为该已制成之光电组件之电性接触用)之至少一部份(较佳是全部)可制作在晶圆复合物中。光电组件之接触作用较佳是至少一部份经由导电性之连接用导电材料来达成，该连接用导电材料在晶圆复合物中可配置在该经由活性区之缺口之区域中或配置在该邻接於活性区之侧面之区域中。该连接用导电材料含有一种金属，例如，Au, Al, Ag, Ti, Pt, Sn或合金，该合金含有这些材料中之至少一种材料。; 在本发明之一种较佳之形式中，该连接用导电材料在横向中(特别是在活性区之区域中)是与该半导体功能区相隔开，这样可使该组件在操作时发生短路之危险性减小。该连接用导电材料因此可配置在该半导体功能区之一种(特别是横向)边缘区中及/或与该侧面相隔开。; 在本发明之另一种较佳之形式中，该半导体功能区在横向中具有至少一凹口，其特别有利的情况是其至少一部份围绕该经由活性区之缺口。特别是该缺口在横向中可形成该半体体功能区之缺口及/或该侧面在横向中具有一凹口。; 该缺口在本发明中特别是以未完全贯穿该半体体功能区之一种凹陷区之形式来形成或以完全贯穿该半体体功能区之空白区之形式来形成，其中该凹陷区或空白区至少一部份(较佳是全部)可围绕或形成该经由活性区之缺口。; 该缺口较佳是垂直於该半体体功能区之横向之主延伸方向而在垂直方向中经由整个半体体功能区而延伸。例如，此处该缺口在半体体功能区中形成空白区。; 该连接用导电材料较佳是至少一部份藉由一种隔离材料而在电性上与活性区相隔离。该隔离材料较佳是配置在缺口之区域中或配置在该侧面之区域中，特别是直接配置在活性区上且例如含有：矽氮化物，例如，SiN或Si3N4；矽氧化物，例如，SiO或SiO2；或矽氧化氮化物，例如，SiON。; 该隔离材料较佳是围绕该缺口，特别是围绕该凹口，或该隔离材料较佳是配置在侧面上，特别是直接配置在侧面上，使该活性区藉由该隔离材料而在电性上与该连接用导电材料相隔离。活性区经由该连接用导电材料而发生短路的危险性因此可下降。; 特别有利的是至少在该缺口的几乎整个壁面上舖上该隔离材料或至少几乎在整个侧面上涂布该隔离材料，使该组件操作时发生短路的危险性大大地下降。; 此外，该连接用导电材料较佳是至少经由该半导体功能区之几乎整个垂直走向而配置着，这样在晶圆复合物中制造此种光电组件时可有利地使接触结构轻易地形成。; 一种连接用导电材料在垂直方向中沿着整个半导体功能区而延伸，该连接用导电材料特别是在与相对应而配置的隔离材料相连接时可使光电组件达成一种电性上的接触或使光电组件的半导体功能区在垂直方向中经由该活性区之区域而达成电性上的接触，此时短路的危险性不会提高。光电组件之接触结构之此部份可有利地制作在晶圆复合物中。; 在本发明的另一有利的形式中，该半导体功能区具有第一主面和第二主面，就该活性区而言第二主面是与第一主面相面对，其中该半导体功能区可有利地由第一主面而导电性地与该连接用导电材料相连接。; 上述之连接例如可经由第一接触区来达成，该第一接触区由半导体功能区之第一主面而导电性地与半导体功能区－及该连接用导电材料相连接。此种第一接触区含有一种金属，例如，Au, Al, Ag, Ti, Pt, Sn或含有这些材料中至少一种的合金(例如，AuGe)，第一接触区同样可有利地制作在晶圆复合物中。; 该连接用导电材料和半导体功能区之第一主面上的第一接触区之间的导电性连接可使半导体功能区之第一主面由第二主面来达成一种电性上的可连接性，其中该连接用导电材料可在缺口之区域中，凹口中或半导体功能区之边缘区上(特别是侧面上)在垂直方向中经由半导体功能区之垂垂走向而延伸。; 情况需要时一种由该连接用导电材料所形成的连接用导体以及该第一接触区能以单件方式来形成，特别是以相同的材料来形成。; 在本发明的另一有利的形式中，该连接用导电材料在电性上与半导体功能区之第二主面相隔离。短路的危险性因此可大大地下降。; 在本发明的另一有利的构形中，由第二主面这一方来配置第二接触区，其例如含有一种金属，例如，Au, Al, Ag, Ti, Pt, Sn或含有这些材料中至少一种的合金(例如，AuGe)。该第二接触区经由第二主面而导电地与半导体功能区相连接，特别是用来注入电流。; 上述之光电组件可经由第一－和第二接触区而达成电性上的连接。特别是该光电组件能以可表面安装的方式而形成SMD－组件(SMD：Surface Mountable Device)。此外，该光电组件可用於一种混合(Hybrid)模鉏中。; 第一接触区和该连接用导电材料(其可由第一主面延伸至第二主面)之间的导电性连接可与第二接触区共同形成一种接触结构，这样可由第二主面这一方来轻易地接触该光电组件。; 在上述之光电组件藉由第一－和第二接触区而达成电性上的接触时可有利地省略各连结线，於是可有利地使光电组件之高度下降而可容易地形成较小的组件。此外，上述之接触结构可有利地形成在晶圆复合物中。; 此处须注意：各接触区的数目当然不限於二个，情况需要时亦可设有多个接触区或多个接触区对(pair)。; 上述的光电组件，特别是具有活性区的半导体功能区，可对应於一种辐射发射－或辐射接收用的组件而形成。该活性区依据光电组件而形成，以藉由所入射至活性区中的辐射所产生的电荷载体来产生电致发光的辐射或产生信号。该半导体功能区例如可对应於一种LED晶片，电射二极体晶片(其显示横向－或垂直的发射方向)或光二极体晶片而形成。第一－和第二接触区较佳是可依据二极体接触区之二个极而形成。; 该半导体功能区(特别是活性区)较佳是含有至少一种III－V－半导体材料，其大致上是由III－V－半导体材料系统所构成的一种材料，例如，InxGayAl1－x－yP, InxGayAl1－x－yN或InxGayAl1－x－yAs，其中0≦x≦1, 0≦y≦1且x＋y≦1。; 较佳是形成一种光电组件，其发出紫外线－，可见光－或红外线光谱区中的辐射。; 材料系统InxGayAl1－x－yN例如特别适用於发出紫外线至绿色光谱区中的辐射，InxGayAl1－x－yP例如特别适用於发出绿黄色至红色光谱区中的辐射，且InxGayAl1－x－yAs特别适用於发出红外线光谱区中的辐射。; 光电组件亦可以其它未包含在III－V－半导体材料系统中的材料为主来制成。例如该半导体功能区可包含矽(特别是用於光二极体中)或包含II－VI－半导体材料或以矽或II－VI－半导体材料为主。但藉由III－V－半导体材料可较简易地使该光电组件达成较高的内部量子效率。; 由於缺口之区域中该活性区不能产生－或接收辐射，则该缺口在该光电组件中较佳是在横向中具有较小的尺寸，使活性区的面积(其用来产生辐射或用来接收辐射)尽可能大。这可藉由适当地形成该缺口来达成。; 半导体功能区中该缺口及/或凹口在横向中较佳是具有一种尺寸，使该连接用导电材料或一种围绕该连接用导电材料之连接用导体具有导电率，其能以各别地形成半导体功能区之方式来调整。具有高功率的组件所造成的导电率通常较功率较低的组件所造成的导电率还高。缺口或凹口或该连接用导电材料之横向尺寸可在奈米至微米的范围中。例如，该横向尺寸可为100 μ m，较佳是50 μ m或更小，例如，可为100 μ m或10 μ m。; 一种足够高的导电率在情况需要时亦可藉由多个缺口及缺口中所配置的连接用导电材料－或藉由各缺口之数目和尺寸之已适当地调整的组合来达成。; 在本发明的另一有利之构成中，光电组件具有一种配置在半导体功能区之後的视窗，该视窗较佳是可透过该活性区中所接收－或所产生的辐射及/或位於该辐射的辐射通道中。该视窗可用来使辐射耦合至光电组件中或由光电组件中射出。; 在本发明的另一有利之构成中，该光电组件具有一种封罩，其较佳是至少一部份包围或包封该半导体功能区。该半导体功能区特别是可埋入该封罩中。该封罩可以是该视窗的一部份及/或形成该视窗。该封罩可有利地保护该半导体功能区使不受外部之有害物所影响，例如，不受湿气所影响。; 该封罩较佳是可透过一种由活性区所产生－或所接收的辐射。因此，有利的方式是使该封罩中不期望的辐射吸收率减小。; 此外，该封罩之材料较佳是对该活性区中所产生的辐射或入射至活性区上的辐射具有耐久性。封罩本身发生一种使效率下降之污染－或软化之危险性於是可下降。; 在另一有利之构成中，半导体功能区(特别是活性区)由一种包封所围绕，该包封较佳是(至少在光电组件起动及/或操作时)对有害性的外部影响(例如，湿气)形成密封性，特别是不透水或不透气。该包封可包含该封罩或情况需要时可包含一个或多个其它的包封元件，该包封可围绕该半导体功能区或较佳是完全围绕该活性区且可有利地提高对该半导体功能区或活性区的保护作用使不受外部之有害物所影响。; 此外，较佳是形成该包封，使光电组件之接触区较佳是可经由该包封而达成连接功能。外部之各接点或外部的连接元件因此可以是该包封的一部份。特别是该光电组件可藉由外部的接点而导电性地与电路板的导线架相连接。该光电组件较佳是经由一种焊接连接区而与导线架相连接。; 较佳是形成该包封或各包封元件之至少一部份，使该包封或各包封元件和活性区之间的区域，特别是在所产生－或所接收的辐射之辐射通道中，不存在中空区。在辐射进入光电组件中或由光电组件发出时，由中空区所造成的过多的折射率跳跃以及因此在边界面上所发生的高的反射损耗等危险性於是可下降。; 该包封上所加上之元件，例如，封罩及/或视窗，亦可有利地形成在晶圆复合物中。特别有利的是整个包封可制作在晶圆复合物中。; 在本发明的一种有利的构成中，该包封在机械特性上很稳定，因此不需额外之保护半导体功能区用的外壳且可容易地形成很小的光电组件，其具有半导体功能区之保护用的较佳是全面式的包封。; 较佳是形成该包封或该包封的元件(例如，封罩)之至少一部份，使其至少在短时间之间对高的温度，例如，超过200℃，较佳是可达300℃，具有稳定性，於是半导体功能区及/或该封罩由於焊接过程而受损的危险性即不会提高，其中上述的高温是在该组件的各接点焊接时所产生。; 在本发明的另一种有利的构成中，至少一吸收性材料或发光材料配置於半导体功能区之後。该吸收性材料或发光材料较佳是直接设在－或配置在该视窗，封罩或半导体功能区之中，上方或表面上。该吸收性材料或发光材料较佳是以粉末构成。; 该吸收性材料(例如，有机颜料)例如可设在一种形成辐射接收组件之组件中，以便在一种入射至半导体功能区之辐射之适当的(特别是预定的)波长中作为滤色材料以藉由吸收作用来影响该辐射侦测器之敏感度(即，光谱之敏感度分布)。因此，一种形成该辐射侦测器之光电组件之光谱敏感度分布可有利地作适当的调整。; 在一种形成发射体的光电组件中，该发光材料较佳是可吸收该活性区所产生的波长是λ1之辐射且再发出波长是λ2的辐射。该波长λ2较佳是大於波长λ1。此种光电组件可产生混合彩色之光，特别是白光，一种由波长是λ1和λ2之辐射所构成的混合辐射可加入至该混合彩色之光之彩色中。此种发光材料因此使波长λ1之辐射之至少一部份转换成波长λ2之辐射且因此通常亦称为转换材料，特别是称为电致发光转换材料。; 可使用无机磷，掺杂之石榴石，铈(Ce)－或铽(Tb)驱动之石榴石(例如，YAG：Ce, TAG：Ce, TbYAG：Ce)，硷土金属硫酸盐或有机颜料作为电致发光转换材料。适当的电致发光转换材料例如已描述在文件WO 98/12757中，其内容於此作为参考。; 一种发光材料，特别是以YAG为主的发光材料，特别适合用来产生白光，此种发光材料使半导体功能区中所产生的辐射(大约在紫外线－或蓝色光谱区中)转换成波长较长的辐射(大约在黄色光谱区中)。由已转换的辐射成份和未转换的辐射成份所构成的混合辐射可产生混合彩色光，特别是白光。; 在一种有利的构成中，所使用的粉末之电致发光转换材料之平均颗粒大小最大是30微米。一种介於2微米和6微米之间的平均颗粒大小已显示出特别有利。在颗粒具有此种大小时电致发光转换已显示出特别有效。; 上述之转换材料较佳是尽可能靠近该活性区而配置着。转换效率因此可提高，此乃因由该活性区所产生的辐射之强度随着至活性区的距离之增大而以距离平方之方式减小。此外，效率之最佳化或混合彩色辐射之彩色位置之相对於观看角度之相依性之最佳化可容易达成。; 靠近活性区之辐射转换成波长较大的能量较少之辐射，此种转换亦可具有保护性地作用在一种围绕该转换材料之元件上或作用在一种配置在该转换材料之後之元件(例如，封罩)上。该封罩材料在活性区附近中由於转换所造成之与辐射有关的变色之危险性因此可有利地下降。; 在另一有利的构成中，该发光材料特别是直接配置在半导体功能区上。该发光材料可以发光材料层之形式来形成。因此，一特别有效的电致发光转换可容易地在活性区附近达成。该发光材料较佳是在晶圆复合物中施加在半导体层序列上或施加在来自半导体层序列的半导体功能区上。发光材料特别是可藉由静电力施加而成。这亦可有利地适用於吸收性材料中。; 在本发明之另一有利的构成中，一个－或多个光学元件配置在半导体功能区之後，该光学元件可有利地影响该组件之效率或影响该组件的发射－或接收特性。该光学元件例如可以辐射成形用的透镜来构成。此外，该光学元件可以滤光器元件或散射元件来构成。; 此外，该光学元件可以抗反射层或抗反射涂层来构成。藉由一种抗反射涂层，则可有利地使折射率跳跃所造成的反射损耗减小。一个－或多个λ/4层特别适用於此处。例如，该抗反射层可包含上述用於该隔离用材料中之各种材料。特别是这些材料可相同及/或该抗反射层和该隔离用材料可积体化地形成在一个元件中。一种抗反射层可配置在该封罩和该半导体功能区之间及/或配置在该封罩和该视窗之间。; 在本发明之另一有利的构成中，该光学元件形成在封罩中或视窗中，即，光学元件施加在该二种元件上或直接与其相接触。; 光学元件，特别是透镜或散射结构，例如可结构化至该封罩－或视窗材料中或由此种材料中形成。这例如可藉由压印(Stempel)或蚀刻方法来达成。; 此外，该散射元件或滤光器元件大约以散射微粒或滤光微粒之形式而配置在封罩或视窗中。; 又，光学元件亦可黏合，蒸镀或溅镀至封罩材料上或半导体功能区上。黏合特别适用於辐射形成用之光学元件，溅镀或蒸镀特别适用於形成抗反射涂层。; 光学元件较佳是形成在晶圆复合物中。; 在本发明之另一有利的构成中，半导体功能区配置在载体上。该载体可由半导体层序列(由此而在该组件的制程中形成半导体功能区)之生长基板之一部份所形成或由一种与该生长基板不同的其它载体层(其上在藉由晶圆结合法而进行处理或制造时配置着半导体层序列)之一部份所形成或包含此种载体层。在最後一种情况中，该生长基板在半导体层序列配置完成之後或半导体功能区配置在载体层上之後被剥除。该载体有利地在机械上稳定地承载着半导体功能区。特别是半导体功能区配置在该载体的一面上。; 该连接用导电材料较佳是至少延伸至载体之一与半导体功能区相面对的面为止。该光电组件之电性可连接性因此可由载体之与半导体功能区相面对的此面来容易地达成。; 若连接用导电材料至少一部份配置在缺口中，则该缺口(其例如以横向凹口来形成)较佳是延伸至载体之与半导体功能区相面对的此面为止。若该载体加入至该组件之电性接触区上，则该载体较佳是具有导电性。例如，该载体包含一种适当的半导体材料，其可被掺杂以提高其导电性。; 在上述光电组件之另一有利的构成中，一种镜面层配置在该活性区及/或半导体功能区之後。此种镜面层例如可积体化於半导体功能区中而成为布拉格(Bragg)镜面或形成一种含有金属的(特别是金属性)镜面层，这些金属例如可为Au, Al, Ag, Ti, Pt或含有这些金属中至少一种的合金(例如，AuGe)。特别有利的是使该镜面层配置在该载体和该活性区之间及/或配置在半导体功能区上。; 该镜面层较佳是具有导电性且可加入至该组件的接触区上。该镜面层因此可以适当之方式而与半导体功能区导电性地相连接。; 该镜面层较佳是对一种由活性区所接收－或所产生的辐射具有反射性。该镜面层可有利地提高光电组件的效率，这例如藉由载体中辐射被吸收的量减少来达成，该镜面层亦可对该光电组件之发射特性或接收特性造成有利的影响。; 该镜面层可特别有利地在晶圆复合物中例如藉由与半导体层序列一起生长(就像布拉格镜面一样)且积体化於该半导体层序列中而制成，或藉由事後施加(例如，藉由蒸镀或溅镀)至半导体层序列上或半导体功能区上而制成，就像一种含有金属的镜面层一样。; 情况需要时该镜面层可包含一种以单石方式积体化於半导体层序列中或半导体功能区中的第一部份镜面层和一种由已积体化的部份镜面层此方向而配置在半导体层序列上或半导体功能区上的特别是含有金属的第二部份镜面层。较佳是在上述之各个部份镜面层之间配置一种中间层，其特别是导电性地与各个部份镜面层相连接。一种含有可透过辐射的导电性氧化物，特别是金属氧化物(例如，氧化锌，氧化铟锡或氧化锡)，之中间层特别适用於此处。该中间层可用来使含有金属的部份镜面层之对已积体化的部份镜面层的电性接触最佳化。; 在该光电组件(特别是具有一种含有金属的镜面层者)制造时若该半导体层序列之生长基板被剥除，则此种在生长基板剥除时所制成的组件亦称为薄膜组件。具有一含有金属之镜面之薄膜组件特别是可具有一种对应於Lambertic辐射器之正弦形式的发射特性。; 在本发明之另一有利的构成中，须形成该包封或该包封之至少一元件，使半导体功能区在机械上达成稳定作用。由於此种稳定作用，则可有利地省略一种使该半导体功能区稳定所用的载体，这样可容易地形成很薄的光电组件。该载体因此可特别地被薄化或去除。; 本发明中具有多个光电组件的装置具有上述形式的多个本发明的光电组件，其中半导体功能区较佳是至少一部份於横向中相邻地配置着。此种横向之相邻配置可有利地对应於半导体功能区之配置，其来自晶圆复合物中载体层上半导体功能区中半导体层序列之相对应的结构化。该装置特别适用於制造在晶圆复合物中。; 在一种较佳的构成中，该装置具有一种封罩，其至少一部份包封着或围绕着半导体功能区。该封罩较佳是以单件方式构成。该封罩同样可有利地形成在晶圆复合物中。特别是可依据上述方式来形成该封罩。; 在另一种较佳的构成中，一种稳定层使半导体功能区在机械上稳定地存在着。半导体功能区较佳是稳定地存在於一种配置中，该配置藉由该装置之半导体功能区配置在晶圆复合物中(特别是在一平坦之载体层上)而形成。; 在该装置之另一有利的构成中，该稳定层包含该封罩及/或该视窗，及/或该稳定层基本上是与该封罩相同，使该封罩同时具有稳定作用以及对各半导体功能区的保护作用。该封罩因此可形成稳定层或成为该稳定层的一部份。; 在本发明的光电组件的一种制造方法中，具有一种配置在一载体层上的半导体层序列(其显示一活性区和一横向的主延伸方向)的至少一晶圆复合物被制成。然後，对该半导体层序列进行结构化，使形成至少一经由活性区的缺口或形成至少一在横向中邻接於活性区之横向侧面。然後在该缺口之区域中或该侧面之区域中配置一种连接用导电材料，使该活性区至少在该缺口－或该侧面之一部份区域中在电性上与该连接用导电材料相隔离。然後划分成多个光电组件，其中各光电组件之电性上的接触至少一部份是经由该连接用导电材料来达成。; 上述方法所具有的优点是：各光电组件(包括其接触结构)至少一部份(较佳是全部)可成本有利地制作在晶圆复合物中。由於活性区在电性上与该连接用导电材料相隔离，这例如藉由连接用导电材料相对於活性区(例如，对该活性区相隔一段距离)作适当的配置即可达成，则活性区经由该连接用导电材料而发生短路的危险性可降低。可有利地形成该组件的接触结构，使光电组件不具备导线连结区或在无连结线的情况下可被接触。; 载体层可包含半导体层序列之生长基板，其上较佳是以磊晶方式制成该半导体层序列，或该载体层可与半导体层序列之生长基板不同。在第二种情况下该生长基板较佳是在半导体层序列(特别是以该半导体层序列之面对该生长基板之此侧)配置在载体层上之後被剥除。; 该活性层较佳是经由一种隔离材料而在电性上与该连接用导电材料相隔离。此外，该隔离材料(例如，SiN或其它含有上述各材料中之一之材料)较佳是至少一部份配置在该缺口－或侧面之区域中。特别有利的是使该隔离材料直接配置在活性区中及/或该连接用导电材料藉由活性区和该连接用导电材料之间所配置的隔离材料而在电性上与活性区相隔离。活性区发生短路的危险性因此可大大地下降，该隔离材料可有利地在连接用导电材料之前施加完成及/或该连接用导电材料直接邻接於该该隔离材料。该隔离材料例如可藉由蒸镀(大致上是以PVD－方法(例如，溅镀))或以CVD－方法(例如，PECVD)施加而成。; 在本方法之较佳的方式中，半导体层序列在横向中具有至少一凹口，其较佳是至少一部份围绕该经由活性区之缺口。情况需要时该缺口在横向中可形成该半导体层序列之凹口。; 此外，该缺口之壁至少一部份是以该隔离材料来舖衬。; 依据另一较佳之方式，该导电性之连接用导电材料至少一部份是配置在缺口(特别是凹口)中。该缺口因此可决定光电组件之接触结构。; 此外，该缺口较佳是在垂直方向中垂直於该半导体层序列之横向之主延伸方向而延伸，特别是经由整个半导体层序列。该缺口较佳是延伸至载体层上或载体层中。特别有利的是该缺口经由全部之载体层而延伸。该缺口因此特别是可形成一种经由半导体层序列而延伸－及/或延伸至载体层中或经由载体层而延伸之空白区或该缺口可形成半导体层序列之空白区。特别是该空白区在半导体层序列之区域中在横向中至少一部份(较佳是全部)是以半导体层序列为边界。半导体层序列因此可在横向中完全围绕该缺口。; 在本方法之较佳的方式中，须对该半导体层序列进行结构化，以形成多个特别是经由中间区而在横向中在空间上互相隔开的半导体功能区。特别有利的是在一种形成该缺口或形成该侧面之步骤中(特别是在配置该连接用导电材料之前)对该半导体层序列进行结构化。半导体功能区中的结构化可在该缺口－或该侧面形成之前或之後进行。; 半导体功能区可有利地至少一部份具有一种经由活性区之缺口或具有一种在横向中邻接於该活性区之侧面。在半导体层序列结构化时因此可适当地产生多个半导体功能区所需的多个缺口。该缺口特别是可形成半导体功能区的空白区，其可有利地在半导体功能区之区域中在横向中至少一部份(较佳是全部)以该半导体功能区为边界。该半导体功能区因此可在横向中完全围绕该缺口。; 在本方法的一种较佳的方式中，产生多个经由活性区的缺口，其中多个半导体功能区具有至少一经由活性区的缺口，; 在另一有利的形式中，多个半导体功能区在横向中分别具有至少一凹口，其至少一部份围绕该缺口或在多个半导体功能区中该缺口在横向中形成各别之半导体功能区之凹口。; 在另一有利的形式中，多个半导体功能区分别具有至少一种横向之与各别之半导体功能区之活性区相邻接的侧面。该侧面较佳是在横向中由侧面邻接於各别之半导体功能区。特别是整个半导体功能区可以此种侧面为边界。; 各侧面例如在半导体层序列结构化时形成在半导体功能区中。该侧面特别是可邻接於一种配置在二个半导体功能区之间的中间区。; 该连接用导电材料较佳是在横向中配置於该侧面之後，使该连接用导电材料至少在该侧面之一部份区域中在电性上与活性区相隔离。; 在本发明的另一有利的形式中，该隔离材料特别是直接配置在侧面上。; 该连接用导电材料较佳是在垂直方向中经由活性区之区域而延伸及/或大致上藉由该隔离材料(其可配置在该连接用导电材料和该侧面－或半导体功能区之间)而与活性区相隔一距离及/或相隔离。; 在本发明的另一有利的形式中，第一电性接触区施加在半导体层序列－或半导体功能区之远离载体层的此侧上。第一电性接触区可有利地使即将制成的光电组件之接触结构容易地形成在晶圆复合物中。第一电性接触区因此可在该缺口－或侧面形成之前或之後形成。例如，每一个半导体功能区基本上可设有此种形式的第一电性接触区。; 此外，情况需要时亦可在半导体层序列上设有多个第一电性接触区。这可有利地以下述方式来达成：至少一种上述之第一电性接触区配属於半导体层序列之每一形成半导体功能区(其由半导体层序列所构成)所用之区域。; 在本发明的另一有利的形式中，该连接用导电材料配置在该缺口－或侧面的区域中，以便特别是可直接在该连接用导电材料和第一接触区之间形成一种导电性连接。特别是该连接用导电材料和第一接触区可直接达成机械上的接触。; 在另一有利的形式中，须形成该缺口或该侧面，使第一接触区可由半导体层序列－或半导体功能区之面对第一接触区之此侧经由该缺口之区域或该侧面之区域而达成电性上的连接作用或使第一接触区之至少一部份裸露出来，即，第一接触区特别是在垂直方向中未由半导体层序列－或半导体功能区所覆盖。适当的方式是在形成该缺口或该侧面之前即设置第一接触区。为了形成该缺口或该侧面，则适当的方式是去除半导体层序列中的一种覆盖第一接触区的区域，使第一接触区裸露出来且第一接触区可由半导体层序列－或半导体功能区之面对第一接触区之此侧特别是藉由该连接用导电材料而达成电性上的连接作用。第一接触区特别是可在横向中完全覆盖该缺口。第一接触区因此可有利地具有一种较该缺口还大的横向的范围。; 在本方法的另一有利的方式中，未结构化的半导体层序列－或半导体功能区之後由其远离载体层的方向配置一种稳定层。该稳定层较佳是施加在半导体层序列上或半导体功能区上。此外，该稳定层情况需要时可使用一种适当的黏合层或中间层而配置在半导体层序列－或半导体功能区之後。; 该稳定层较佳是以无承载方式而形成且在机械上可使半导体层序列或半导体功能区稳定。此外，该稳定层可使各半导体功能区在机械上稳定地相连接。; 上述之稳定层在机械上可有利地使晶圆复合物获得稳定，因此不需载体层或该载体层可被薄化。该载体层例如可藉由蚀刻或研磨使其至少一部份被薄化或特别是可被完全去除。; 上述方式可容易地制成很薄的光电组件，其半导体功能区在极端情况时只包含该活性区。; 特别是半导体层序列可在载体层去除一部份(特别是完全去除)之後或该载体层被薄化之後被结构化成多个半导体功能区。因此可有利地藉由先前所设的稳定层来确保机械上的稳定性。; 此外，藉由可多次地施加上述各种不同的稳定层且在需要时去除这些稳定层，以此种组合方式可在晶圆复合物中在载体层上使半导体层序列达成一种多面性(较佳是全面性)的结构化。; 该稳定层特别有利的是以可由光来结构化的方式而形成，这样可使下一过程较容易。该稳定层较佳是包含一种可由光来达成结构化的漆。; 在另一较佳的方式中，该稳定层在形成该缺口－或该侧面之前须配置於半导体层序列之後或配置於半导体功能区之後。该缺口或侧面较佳是由面对该稳定层之此侧而形成在半导体层序列或半导体功能区中。因此，较佳是使该载体层特别是以区域方式去除或完全去除，或在适当地特别是以区域方式去除该载体层时同时形成该缺口或侧面。; 由於稳定层之机械上之稳定的作用，则可以区域方式去除该载体层或完全去除该载体层，此时半导体层序列或半导体功能区受损之危险性不会增高。; 在另一有利的形式中，该载体层至少在一部份区域中较佳是完全被去除且该缺口或侧面由远离该稳定层之此侧特别是经由该载体层已去除的区域而形成在半导体层序列或半导体功能区中。; 在本方法的另一有利的形式中，该稳定层至少一部份包封半导体功能区及/或改变该半导体功能区的形式。因此，在制造该光电组件时可针对外部的损害性影体而有利地保护半导体功能区，特别是其边缘区。; 在另一有利的形式中，该缺口或侧面由面对该载体层之此侧而形成在半导体层序列或半导体功能区中。因此，半导体层序列或半导体功能区中可由面对该载体层之此侧藉由蚀刻而适当地被结构化。这可在半导体功能区形成之前，之後或同时达成。於是可有利地藉由该载体层来确保此种复合物的机械稳定性。; 在另一有利的形式中，在形成该缺口或该侧面之後该稳定层配置於半导体层序列或半导体功能区之後。; 此外，该稳定层较佳是可透过一种由活性区所产生－或所接收的辐射。因此，该稳定层亦可以是该光电组件之稍後所形成的封罩或包封的一部份，此时该光电组件的效率不会由於该稳定层之材料中所入射－或所发出的辐射被吸收而不利地下降。; 该稳定层可藉由各种不同的方法而配置於半导体层序列或半导体功能区之後。例如，该稳定层可藉由一种蒸镀法(例如，CVD－或PVD－过程)或旋涂法(Spincoating)而制成。就特别适用於旋涂法之材料而言，例如可使用BCB(BenzoCycloButene)，矽氧烷(Siloxan)，矽树脂，旋涂氧化物，例如，氧化铝(Al2O3)或漆。就蒸镀而言，例如在CVD－方法中一种玻璃特别适合。; 在稳定层施加在半导体层序列或半导体功能区之後，该稳定层在情况需要时须硬化，此种硬化较佳是在温度小於400℃或300℃时进行，其特别是在较短的硬化时间中对半导体结构不会造成损伤。若稳定层之材料由液态相(phase)施加而成，则该硬化过程特别适当。; 此外，稳定层亦可连结至半导体层序列或半导体功能区，这例如可藉由晶圆连结法或阳极连结或直接连结而达成。特别是该稳定层可藉由凡得瓦尔(van der Waals)力而固定至半导体层序列或半导体功能区。该稳定层可朝向晶圆复合物施加而成。该稳定层在此种情况下特别是以平坦方式形成且例如包含一种玻璃板。; 该稳定层另外可藉由黏合促进层而配置在半导体层序列或半导体功能区之後，其中该黏合促进层较佳是配置在半导体功能区和该稳定层之间及/或半导体层序列或半导体功能区较佳是在机械上稳定地与该稳定层相连接。; 在此种情况下该稳定层特别是以平坦方式形成且例如包含一种玻璃板。; 此外，该稳定层可形成一种视窗层以发出辐射。; 该黏合促进层可改变该半导体功能区之形式且成为光电组件之稍後所形成的封罩及/或包封的一部份。; 例如，可使用矽树脂(例如，矽氧烷)或一种BCB作为黏合促进材料。此种材料之特徵除了良好的黏合促进作用之外对短波长－或紫外线辐射亦具有高的稳定性，高的耐温性及/或高的辐射穿透性。该黏合促进层情况需要时可在温度控制下硬化或即时硬化。; 此外，该稳定层可以一种稳定箔来形成，其施加在晶圆复合物上，特别是施加在半导体层序列或半导体功能区上，特别是以片状方式施加而成。施加完成之後，该稳定箔情况需要时被硬化，特别是进行光硬化或温度硬化。在硬化之後，该稳定箔可有利地形成一种机械稳定的较佳是无承载的层。此种已硬化的层及/或箔可有利地使辐射透过。; 在本发明的一种较佳的形式中，半导体层序列或半导体功能区须藉由稳定层而在机械上获得稳定，使载体层较佳是可由其远离该稳定层的此侧上被结构化。此种结构化例如可藉由遮罩方法与蚀刻过程或机械方法(例如，研磨或切锯)的组合来达成。; 由上述之结构化开始，较佳是由载体层产生载体层区，各载体层区在稍後形成之光电组件中形成半导体功能区的载体。载体层特别有利的是依据载体层上各半导体功能区之配置而被结构化，其中有利的方式是在每一载体层区上配置至少一种半导体功能区。可有利地藉由稳定层来确保由稳定层，半导体功能区和已结构化的载体层区所构成的复合物之机械稳定性。该载体层在该(特别是无承载的)稳定层有足够的机械稳定性时可依据上述的方式在情况需要时完全去除。; 在上述的方法中，例如可制成各种半导体功能区之边长由10微米至100微米，至1000微米或至10毫米之组件。边长大约是1000微米时特别适当。半导体功能区横向中的边长或尺寸往下时原则上只会受到制程中所使用的结构化方法，特别是半导体功能区中半导体层序列之结构化－或缺口之结构化所用之方法，所限制。; 例如，此处特别是可使用一种石版印刷术(特别是微影术)，以适当形成的光罩来和湿式蚀刻法或乾式蚀刻法，电射结构化方法或机械式结构化方法(例如，切锯)等相组合。; 特别有利的是上述整个方法可在晶圆复合物中进行，因此可避免成本昂贵的各别的加工步骤。本方法特别是可在晶圆复合物中成本有利地制成一种即可使用的完整的组件。此种方式制成的光电组件特别是可直接在划分之後例如藉由一种”Pick and Place”过程而定位在电路板上且随後进行电性上的连接。情况需要时该光电组件可配置在另一外壳中，使该光电组件的保护性可大大地提高。; 在本方法之另一有利的形式中，该光电组件具有一种包封，其基本上以密封方式围绕该半导体功能区(特别是活性区)。该包封较佳是围绕该半导体功能区之封罩且围绕至少另一包封元件。该包封元件可有利地设在晶圆复合物中且较佳是由该封罩及/或该稳定层所面对的此侧来包封该半导体功能区或改变该半导体功能区之形式。因此，在该组件有足够的保护时即可省略另一外壳而使构造简化。结果，不需另外的外壳即可形成较小的组件。该包封元件(特别是一种包封层)例如可藉由旋涂法而施加在晶圆复合物上且情况需要时以温度促进之方式而被硬化或即时硬化。例如，该包封元件包含一种上述的BCB。; 该组件的封罩例如可在复合物划分成各个组件时由该稳定层来形成及/或包含该黏合促进层之一部份，该封罩至少一部份可包封半导体功能区或改变该半导体功能区之形式。; 在上述的方法中该复合物特别是可经由该稳定层，特别是该封罩及/或视窗，该隔离材料及/或该黏合促进层而划分成各个光电组件。; 在本方法之另一有利的形式中，在划分之前形成多个隔离接缝，其延伸至使晶圆复合物在机械上达成稳定用的层中。各隔离接缝可由晶圆复合物之远离该稳定用的层之此侧延伸至该稳定用的层中。特别有利的是各隔离接缝未完全贯穿该稳定用的层。因此，虽然该稳定用的层中存在着隔离接缝，但仍可有利地确保该晶圆复合物的稳定性。可有利地形成各隔离接缝，使该复合物划分成各别的元件，若各隔离接缝完全贯穿该稳定用的层时。; 如上所述，该稳定用的层例如可形成上述的稳定层或由载体层所形成。; 若该稳定用的层特别是由面对该半导体功能区之此侧及/或在垂直方向中被薄化到至少各隔离接缝上或至各隔离接缝中，则该晶圆复合物可”划分”成各别的光电组件或划分成多个元件，此乃因薄化至各隔离接缝时该稳定用的层会失去其机械上的稳定作用。此种不同形式的划分亦称为”薄化式划(分dicing by thinning)”。; 又，各隔离接缝较佳是配置在二个(特别是任意个)半导体功能区之间。一种隔离接缝特别是在横向中完全围绕其所属的半导体功能区时特别有利。; 在另一有利的形式中，特别是在晶圆复合物中一种发光材料或吸收性材料配置在半导体功能区之後或配置在半导体层序列之後。较佳是该发光材料或吸收性材料藉由静电力特别是直接施加在半导体功能区或半导体层序列上。因此，可有利地形成一种发光材料或吸收性材料。; 即将施加在半导体功能区或半导体层序列上的材料(发光材料或吸收性材料)藉由静电吸引(特别是静电力)而施加在半导体功能区或半导体层序列上。於是，由半导体功能区例如可施加一种辅助层，其随後以静电方式而被充电且较佳是在电性上被隔离。该材料例如以该辅助层充电用的不均匀的电荷来充电，於是可在辅助层和该材料之间达成一种静电吸引作用。若该材料在电性上可被极化，则该材料之电荷即不需要。该辅助层较佳是以电性隔离的方式而形成。例如，该辅助层可藉由该隔离材料而形成。; 此外，该材料较佳是施加在晶圆复合物之远离载体层－或稳定层的此侧上。该材料适当地被结构化而施加在复合物上或在该施加过程之後适当地被结构化。; 此外，即将施加的材料施加在一种材料混合物中，该材料混合物除了吸收性材料或发光材料之外较佳是具有一种黏合材料，其可使半导体功能区或该辅助层上的材料的黏合性提高。该黏合材料情况需要时可在温度提高时硬化或即时硬化。树脂(其大致上是一种乾原质(matrix)－聚合物树脂(热塑性))特别适合用作黏合材料。藉由黏合材料可使上述材料在机械上对该半导体功能区或半导体层序列的结合性获得改良。; 藉由电荷特别是可调整该材料层的厚度。在藉由静电力而施加该材料时，可藉由适当地选取电荷来调整该即将施加的材料层之厚度。此外，上述方法可简易地以均匀的厚度来施加一种材料层。该材料层的厚度较佳是介於15和25微米之间。; 在另一较佳的形式中，吸收性材料或发光材料配置在稳定层中。例如，吸收性材料或发光材料可配置在一种较佳是平坦的稳定层中，特别是配置在视窗层中。可使用一种滤光玻璃板或一种以发光材料(特别是含有稀土之材料)来掺杂－或偏移的玻璃板以作为稳定层。; 较佳是对应於上述方法来制成上述－和以下仍将详述之组件或元件，使此处和下述方法中所述的特徵亦与该组件或元件有关且反之亦然。; 本发明的其它优点，特徵和适用性将描述於下述的实施例和相关的图式中。