稀土掺杂SiO2基质发光薄膜的制备方法

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本发明公开了一种稀土掺杂SiO2基质发光薄膜的制备方法，包括如下步骤： (1)将正硅酸乙酯Si(C2H5O)4溶于乙醇或丙醇中；(2)上述溶液与硼酸的乙醇 或丙醇水溶液混合；(3)加入盐酸或冰乙酸调节pH值2～3；(4)将可溶性铝 盐加入上述溶液中；(5)加入可溶性稀土盐；(6)陈化得溶胶，制备薄膜，将 薄膜在500～1500℃煅烧得发光薄膜。本发明制备的发光薄膜表面均匀，致密 无开裂，薄膜粒子大小在1-50nm，厚度可控，本发明方法工艺简单、无需真空 设备、成本低、原料易得且无毒。