介电质陶瓷、介电质陶瓷之制造方法、及积层陶瓷电容器

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本发明之介电质陶瓷系以(Ba, Ca)(Ti, X)O3; ; (其中, X为化合价大於Ti之元素)为主成分, 第1至第3添加成分相对於100莫耳主成分, 分别含有0.1至0.4莫耳。第1添加成分包含特定稀土族元素, 第2添加成分包含化合价小於Ti之特定元素, 第3添加成分包含含有Si之助烧结剂。主成分粒子1中90%以上, 表示各添加成分2於主成分粒子1中处於固溶状态下之固溶率总和, 以截面率表示为10%以下。Ca之添加莫耳比为0至0.20(较好的是0.02至0.20), B部位中元素X之添加莫耳比y为0.0001至0.005。藉此, 即使将介电质层薄层化至1至3 ??m左右, 亦可具有较高比介电常数, 且不会损害电容之温度特性, 故可获得良好绝缘性或高温负荷寿命。