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本发明提供了一种单片式白光发射器件。该单片式白光发射器件中的有 源层掺有形成次能带的硅或稀土金属。该单片式白光发射器件中包括的有源 层数量为一或二个。当该白光发射器件中包括两个有源层时,在该两个有源 层之间插入一覆层。根据这种白光发射结构,可以由半导体发射白光,因此 就不需要磷光材料了。传统的白光发射器件需要磷光材料的帮助,与之相比, 这种单片式白光发射器件可以低成本简单地制造且可应用到很宽范围的领 域中。
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