近紫外或紫光激发的半导体发光材料及其制法

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本发明公开了一种近紫外或紫光激发的半导体发光材料，其组成为ZnO：Sx，My且 10-4≤x≤10-2，0≤y≤0.2，其中M是选自锂、钠、钾的碱金属元素或者铕、铽的稀土元素，M为 钠时具有更好的发光效果。还公开了该发光材料的低温液相法结合高温固相法的制备方法及 性能的检测结果。本发明在较简单的工艺条件下，制备出微细高效荧光粉末材料，在370～ 440nm的长波紫外及蓝光可见光区有强的吸收，在450～600nm有强的发射。可用于黄绿光 发光器件(LED)、激光二极管(LD)等。