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本发明公开了一种高导电率铝高硅铝基合金及其制备方法,其制备包括如下步骤:a. 用纯Al、Si、M合金熔炼得到预制合金Al-aSi-bM,其中,M为稀土、Nb、Fe、Cu、Zr、 Ti、V、Cr中的一种或几种,5≤a≤60,0.1≤b≤10;b.将得到的预制合金Al-aSi-bM放 入真空感应熔炼炉中熔炼,熔炼完毕,再用氮-氩混合气体保护将熔融态Al-aSi-bM母合金 喷射成型;c.将喷射成型态Al-aSi-bM合金放入热挤压机中挤压成型;d.对热挤压后得 到的Al-aSi-bM合金进行多道次冷轧。采用本发明中的工艺方法,在获得优良高导电率性 能的高硅铝基合金的同时,大大简化工艺,降低成本,有利于批量化生产和应用的推广。