一种电致发光二极管的制备方法

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本发明公开了一种电致发光二极管的制备方法，先在衬底上生长GaN缓冲层，然后生长掺有Eu、Er、Tm三种稀土元素中任意两种或三种的GaN薄膜，最后用掺锡氧化铟制作透明电极。通过分子束外延、金属有机化学气相沉积方法、离子注入方法、光刻技术实现将Eu、Er、Tm三种稀土元素中的任意两种掺杂到在GaN薄膜中或者将这三种稀土元素同时掺杂到GaN薄膜中，当改变掺杂稀土元素的浓度比和外加电压时，就可以得到不同颜色的光、甚至白光。