半导体组件及其制作方法

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本发明是揭示一种半导体组件及其制作方法。其利用一高温超导(HighTemperature Surperconductor，HTS)层与一典型的扩散层组合，其中该扩散层于介电材料与铜(或其它金属)导线之间。该高温超导体层材料包括钡铜氧以及一稀土元素，而该稀土元素以钇(yttrium)特别合适。如欲在导线上方形成其它半导体电路或组件，可于沉积一介电覆盖层前，沉积一高温超导材料覆盖层于导线上。本发明亦揭示将高温超导体填充于极微小的孔隙或沟槽内以形成联线。