介电体陶瓷及积层陶瓷电容器

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本发明之构成陶瓷烧结体之介电陶瓷系以通式; {100(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3+aBaO+bR2O3+cMgO+dMn; O+eCuO+fV2O5+gXuOv(其中, R表示La、Ce、Pr等特定之; 稀土类元素; XuOv表示至少含有Si之氧化物之群)}表示; 且0≦x≦0.05、0≦y≦0.08(最好为0.02≦y≦0.08)、0≦z≦; 0.05、0.990≦m、100.2≦(100m+a)≦102、0.05≦b≦0.5、; 0.05≦c≦2、0.05≦d≦1.3、0.1≦e≦1.0、0.02≦f≦0.15、; 0.2≦g≦2。藉此, 介电层更加薄层化, 即使施加高电场强; 度之电压, 亦具有良好之介电特性、温度特性, 可获得绝; 缘性或耐电压、高温负载寿命良好且可靠性优异之积层陶; 瓷电容器。