绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法

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本发明涉及一种绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法。为了对应用于半导体集成电路的、由具有C－Si键及Si－O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水、以及选自La(OH)3、Nd(OH)3、Pr(OH)3、CeLa2O3F3和氧化铈以外的稀土类氧化物的1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。