一种近红外长余辉纳米晶的制备方法

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本发明公开了一种Cr3+掺杂ZnGa2O4近红外长余辉纳米晶的制备方法，所述纳米晶尺寸在5～30纳米。所述纳米晶的制备方法包括以下步骤：(1)将正硅酸乙酯溶于无水乙醇中，正硅酸乙酯和无水乙醇的体积比1∶5～1∶10。加入硝酸，正硅酸乙酯和硝酸的摩尔比10∶1～20∶1，混合均匀。(2)称硝酸锌、硝酸镓、稀土硝酸盐和硝酸铬溶于1～5ml水中，然后加入步骤1所得的溶液；(3)将步骤2所得的溶液继续搅拌0.5～5小时，陈化3～7天，然后在30～80℃干燥5～24小时得到干凝胶。所得干凝胶放入马弗炉，在600～1100℃保温1～6小时，自然冷却到室温，得到玻璃陶瓷。(4)将得到的玻璃陶瓷放入0.5～4mol％NaOH溶液中，放入水热釜中，于60～200℃，保温5～24小时，得到Cr3+掺杂ZnGa2O4纳米晶。