低等离子体诱生损伤的硅化物制备方法

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本发明公开了一种低等离子体诱生损伤的硅化物制备方法，采用氦、氖以及它们与氩气的组合作为工作气体，物理气相沉积法淀积钴、镍或稀土金属中的任一种薄膜，然后按照自对准硅化物工艺制备金属硅化物。本发明可以降低现有半导体硅化物制作过程中常见的等离子体损伤，同时兼容现有的工艺，操作简单。