介电质陶瓷及积层陶瓷电容

文件类型：PDF文档
文件大小：1915K
本发明提供一种介电质陶瓷, 其可获得500以上介电常数??, 且能确保大於90 kV/mm之绝缘破坏电压, 且可用於构成中高压用途之积层陶瓷电容的介电质陶瓷层。作为构成积层陶瓷电容(1)之介电质陶瓷层(3)之介电质陶瓷, 其采用以(Ba1-xCax)mTiO3(0.30≦x≦0.50、0.950≦m≦1.025)为主要成分者。该介电质陶瓷最好更对於主要成分100莫耳份包含1~14莫耳份稀土族元素, 并分别对於主要成分100莫耳份包含0.1~3.0莫耳份、0.5~5.0莫耳份及1.0~5.0莫耳份Mn、Mg及Si。