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本发明涉及磁光稀土铁酸盐晶体无坩埚生长方法,属于单晶生长领域。其特征是以氧化物为原料按照比例经过预烧、等静压成型和高温烧结得到原料棒,再将料棒置于无坩埚晶体生长炉中,在空气气氛中进行生长。本发明的特点在于,采用无坩埚技术生长RFeO3晶体,并且不需要任何助熔剂,最大程度地减少了生长过程中助熔剂和坩埚对晶体的污染,可大大减少磁光晶体中的杂质缺陷,提高了晶体质量。
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