用于半导体工业的氢化物气体纯化方法

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本发明公开了一种纯化(purification)氢化物气体的方法，其使用 至少具有一种镧系金属或镧系金属氧化物的材料。该方法使污染物降 低至100ppb，优选10ppb，更优选1ppb。所述材料还包括过渡金属 和过渡金属氧化物、稀土元素和其它金属氧化物。本发明还包括在本 发明方法中使用的材料。