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本发明涉及用于成膜透明导电膜的ZnO蒸镀材料,其中包含ZnO 纯度为98%以上的ZnO的粒料,粒料含有选自Y、La、Sc、Ce、Pr、 Nd、Pm及Sm的1种或2种以上的稀土类元素。ZnO的粒料为多晶体 或单晶体。通过以该ZnO蒸镀材料为靶材料的真空成膜法而形成的ZnO 膜,能够得到良好的导电性。该真空成膜法优选为电子束蒸镀法、离子 镀法或溅射法。
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