基于温度梯度法的稀土倍半氧化物晶体的生长装置及方法

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本发明涉及一种基于温度梯度法的稀土倍半氧化物晶体的生长装置，包括石英筒(1)、感应加热线圈(2)、氧化锆上保温层(3)、氧化锆保温筒(4)、氧化锆保温层(5)、籽晶保护层(6)和坩埚(7)，所述的感应加热线圈(2)缠绕在石英筒(1)外侧壁上，所述的氧化锆上保温层(3)设置在氧化锆保温筒(4)上方，并与其一起置于石英筒(1)内，所述的坩埚(7)置于氧化锆保温筒(4)内，并在坩埚(7)与氧化锆保温筒(4)之间设置氧化锆保温层(5)，氧化锆保温层(5)底部设置氧化锆底座(10)。与现有技术相比，本发明可用于生长英寸级的倍半氧化物晶体，并具有延长坩埚使用寿命，降低长晶成本等优点。