生化离子感测器

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本发明系提供一种生化离子感测器, 其一系利用一种离子感应场效电晶体, 结合酵素与离子感测场效电晶体(Ion sensitive Field Effect Transistor, ISFET), 为基础所制成。其系整个闸极更替为稀土元素氧化层, 或其它如IrO2、TiO2、WO3等Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ、Ⅳ-Ⅳ族的相关低阻抗材料, 让生化离子感测器具有更低的漏电流, 并可提升感测的效果及速度, 由於稀土氧化层的特性, 可使生化离子感测器具有低漏电流, 且生化离子感测器之感测效果相较於习知技术更为良好。; 另一种生化离子感测器为延伸式离子感测场效电晶体(Extended gate ion sensitive field effect transistor, EGFET), 其系将MOSFET的闸极部分延伸出来独立形成感测区, 并和MOS电容元件本身分开, 使MOS电容元件部分能重复使用, 此结构将适用於可抛弃式之生医感测器, 进一步使EGFET朝向商品化发展。