半导体装置上生成介电材质方法及半导体装置

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在一半导体装置上用於产生介电材质的方法，其具有一原子层沈积步骤，藉此沈积含有土金属元素组成的氧氮化铝或氧氮化矽或氧氮化铝矽。本发明描述一种具有介电层的半导体装置，其包括含有稀土金属元素的氧氮化铝或氧氮化矽或氧氮化铝矽。