文件类型:PDF文档
文件大小:1482K
本发明提供一种即使在还原气氛下进行热处理 时,电阻变化能力的降低也被抑制的变电阻元件和使用其的非 易失性存储器。具体地说,本发明提供的非易失性存储器(1) 由具有以化学式RMCoO3 (其 中:R代表稀土类元素、M代表碱土类元素)表示的钙钛矿结 构的氧化物半导体构成的材料层,和与所述材料层电连接的作 为两个电极的第一电极和第二电极构成,同时,(2)具有变电阻 元件晶体管,所述变电阻元件与晶体管电连接。
0下载196浏览641K
0下载424浏览759K
0下载404浏览378K
0下载228浏览360K
0下载164浏览210K
0下载384浏览1886K
0下载158浏览269K
0下载482浏览552K