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本发明揭示一种用於半导体晶圆加工应用之晶圆加工装置, 如静电吸盘(ESC), 其包含一石墨基板与至少一电极图案, 其中该电极图案中的沟槽系填充有从B、Al、Si、Ga、耐火硬金属、过渡金属及稀土金属所组成之一群组中选取之绝缘或半导体材料或其错合物及/或组合, 从而形成一实质上系平面之表面。然後, 藉由至少一半导体层来涂布该实质上系平面之表面, 该半导体层包含从B、Al、Si、Ga、耐火硬金属、过渡金属及稀土金属所组成之一群组中选取的元素之氮化物、碳化物、碳氮化物或氧氮化物中的至少一材料或其错合物及/或组合。