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本发明提供了一种金属叠层结构,该结构稳定了 包括含Si导体和Hf基介质的材料叠层的平带电压和阈值电 压。本发明通过将含稀土金属层引入材料叠层,从而通过电负 性的不同将阈值电压转变到期望电压来稳定平带电压和阈值 电压。具体地,本发明提供的金属叠层包括:铪基介质;位于 所述铪基介质顶或内部的含稀土金属层;位于所述铪基介质上 的导电覆层;以及含Si导体。
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