电致发光器件及其发光层和应用

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本发明涉及一种电致发光器件的发光层，包含至少一种纳米晶体半导体材料，以及至少一种镧系稀土金属Tb配合物发光材料；其中，所述镧系稀土金属Tb配合物发光材料的发射峰值波长比所述纳米晶体半导体材料短。本发明创新性地采用镧系稀土金属Tb配合物发光材料与纳米晶体半导体材料相配合，有利于能量从Tb配合物发光材料转移至纳米晶体半导体材料。同时，镧系稀土金属Tb配合物发光材料中的稀土元素Tb为重金属，具有较强的自旋‑轨道耦合效应，可以高效率地同时利用电致发光器件中的单线态与三线态能量，从而有效提高电致发光器件的发光效率。