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通过脉冲DC偏压反应溅射法从含钛靶沉积高密 度氧化膜,以形成高质量含钛氧化膜。根据本发明形成钛基层 或膜的方法包括通过脉冲DC偏压反应溅射法在衬底沉积含钛 氧化物层。在一些实施方案中,所述层是 TiO2。在一些实施方案中,所述 层是钛低氧化物。在一些实施方案中,所述层是 TixOy,其中x在约1和约4之间,并且y在约1和约7之间。 在一些实施方案中,可以将所述层掺杂一种或多种稀土离子。 这样的层可用于能量和电荷储存以及能量转换技术。
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