用於高效能异质结二极电晶体之方法及结构

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本发明概有关於积体电路。更具言之，本发明系提供一种包含GaAs基材之MIS(金属／绝缘体／半导体)异质接面二极电晶体(HBT)的制造方法和结构，其具有一集极区；一基极层连接於该集极区；一超薄绝缘绝缘层包含一稀土氧化物连接於该基极层；及一射极结构包含多数的金属层连接於该超薄绝缘层。