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本发明涉及一种在基材(1a,1b)上制备高温超导层的方法,该方法包括以下步骤:以低生长速率沉积RBa2Cu3O7-层(2),其中R表示钇,一种稀土族(原子序号57-71)元素或这些元素的两种或多种的混合物,和以高生长速率向RBa2Cu3O7-层(2)上沉积XBa2Cu3O7-层(3),其中X表示钇,一种稀土族(原子序号57-71)元素或这些元素的两种或多种的混合物。优选地,低生长速率为<1nm/s并且高生长速率为>1nm/s,优选为>2nm/s,并且优选向至少双轴织构的基材(1a)或具有至少双轴织构的缓冲层(1b)的基材上沉积RBa2Cu3O7-层(2)。