掺杂稀土元素的Ⅲ族氮化物单晶及其制备方法和应用

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本发明公开了一种掺杂稀土元素的III族氮化物单晶及其制备方法和应用。所述制备方法包括：掺杂稀土元素的III族氮化物多晶、III族氮化物籽晶在超临界态的氨中，以及400～750℃、150MPa～600Mpa的条件下获得所述掺杂稀土元素的III族氮化物单晶。本发明提供的方法使用高纯的掺杂多晶为原料，在矿化剂的作用下多晶原料溶解后，掺杂稀土元素与氨基及B、Al，Ga，In等III族元素形成络合物，由于存在不同温区，不同温区的饱和浓度不同，在浓度梯度的驱动下络合物输运到籽晶处析出结晶，所述氨热法的生长条件为近热力学平衡，晶体生长界面与溶液处的温度梯度接近于零，生长过程中不易产生裂纹，且可以生长出位错密度较低的体单晶。