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公开了一种用于在热处理室中加热半导体晶片 的方法和设备。该设备包括非接触测温系统,该非接触测温系 统利用诸如高温计的辐射探测装置在处理期间判决晶片的温 度。该辐射探测装置通过监视晶片在特定波长处发射的辐射量 判决晶片的温度。根据本发明,该设备中包括光谱过滤器,用 于过滤灯在辐射探测装置的工作波长处发射的光,该灯用于加 热晶片。该光谱过滤器包括光吸收剂,例如稀土元素、稀土元 素的氧化物、光吸收染料、金属或半导体材料。
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