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将原子层磊晶(ALE)运用在新形式之稀土氧化物、稀土氮化物、以及稀土磷化物的制造上。再者,还揭示了由二元(稀土氧化物、稀土氮化物、以及稀土磷化物)所构成之三元化合物,其系与矽及/或锗混合,以形成分子式RE-(O, N, P)-(Si, Ge)的化合物半导体,其中RE=选自於稀土金属族群中之至少一种、O=氧、N=氮、P=磷、Si=矽以及、Ge=锗。所呈现的ALE成长技术、与材料系统均可运用在矽电子、光-电子、电致-电子、以及电致-光学装置上。
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