用於沉积金属氧化物层或薄膜的先质及其制法

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本发明系在提供一种用於沉积金属氧化物层或薄膜的先质及其制法，尤指供金属有机化学气相沉积法MOCVD之稀土金属先质，其具有通式为OCR^1(R^2)CH2X的配位体，其中R^1为H或烷基，R^2为一选择性可置换的烷基，X选自OR及NR2，R为烷基或一可置换的烷基；制造此先质的方法及利用此先质沉积金属氧化层或薄膜的方法。