| 申请日期 | 2026-03-11 | 申请号 | CN201810482496.9 |
| 公开（公告）号 | CN108689681A | 公开（公告）日 | 2018-10-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 李生春 | ||
| 简介 | 一种太赫兹石及其制备方法，由以下重量份的原料制得：晶体硅40‑60、稀土元素氧化物2‑5，其制备方法如下，先将晶体硅废料放入熔炼炉中进行升温熔炼，升温至1600‑1700℃后投入稀土元素氧化物，继续升温至1750‑1790℃，立即停止供电，通过原料自身的反应快速升温，升温至2400‑2800℃后，再用稳电压加热，升温至3150‑3160℃后，熔炼结束，冷却定型，制得太赫兹石。采用本发明所述的配方及方法制得的太赫兹石，在使用过程中只需经30‑50℃的热导就能产生0.1THz‑10THz的太赫兹波。 | ||
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