| 申请日期 | 2025-07-13 | 申请号 | CN201610987929.7 |
| 公开（公告）号 | CN106521439B | 公开（公告）日 | 2018-10-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华侨大学 | ||
| 简介 | 本发明公开一种矫顽力可调稀土‑过渡合金薄膜的制备方法，将稀土贴片与铁钴合金靶相贴合形成复合镶嵌靶，采用磁控溅射方法对复合镶嵌靶进行溅射，通过溅射工作气体的流量有效调节制备的非晶合金薄膜的磁特性，实现薄膜易磁化方向水平与垂直以及富过渡与富稀土成分之间的连续变化。该稀土‑过渡合金薄膜的制备方法可在较大范围内调节合金薄膜的磁特性及矫顽力，满足磁电记录技术领域对材料特性的要求。 | ||
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