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一种临界负温度系数热敏电阻的制备方法 发明申请

2023-12-21 3980 543K 0

专利信息

申请日期 2025-06-24 申请号 CN201810465874.2
公开(公告)号 CN108585849A 公开(公告)日 2018-09-28
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院新疆理化技术研究所
简介 本发明涉及一种临界负温度系数热敏电阻的制备方法,该方法以V2O5为基本成分,掺杂P2O5和金属氧化物,其中金属氧化物为稀土金属氧化物La2O3或碱土金属氧化物CaO,采用高温固相法经研磨,熔融烧结,浆料制备,点珠封装,即得到V‑P‑La/Ca系临界负温度系数热敏电阻。采用熔融烧结方式使P2O5熔融形成玻璃相,将其他两种氧化物的颗粒均匀地粘结,利用稀土金属氧化物或碱土金属氧化物的性质改变VO2的相变温度和电阻率,使其能够在中低温环境下应用。通过本发明所述方法获得的临界负温度系数热敏电阻在253K‑273K之间发生阻值数量级(103‑104)的突降,具有临界负温度特性,且材料体系电性能稳定,一致性较好,适合制造中低温下使用的临界热敏电阻器。


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