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一种新型MOS结构的制备方法及得到的MOS结构 发明申请

2023-02-03 3490 607K 0

专利信息

申请日期 2025-07-11 申请号 CN201810463349.7
公开(公告)号 CN108598169A 公开(公告)日 2018-09-28
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 北京大学
简介 本发明公开了一种新型MOS结构的制备方法及得到的新型MOS结构,其中,所述方法如下进行:步骤1、在氩气和氧气用量比为(32~38) : (4~6)的氛围下在硅片上沉积非晶金属氧化物薄膜,得到沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片;步骤2、采用掩膜板遮盖步骤1得到的沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片;步骤3、在非晶稀土氧化物薄膜的上层和硅片的底层分别溅射金属电极,得到所述MOS结构。本发明所述方法简单,易于实现,易于扩大生产;根据本发明所述方法得到的MOS结构具有优良的综合电性能,即具有较小的漏电流和较大的介电常数。


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