| 申请日期 | 2025-07-11 | 申请号 | CN201810463349.7 |
| 公开（公告）号 | CN108598169A | 公开（公告）日 | 2018-09-28 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种新型MOS结构的制备方法及得到的新型MOS结构，其中，所述方法如下进行：步骤1、在氩气和氧气用量比为(32～38) : (4～6)的氛围下在硅片上沉积非晶金属氧化物薄膜，得到沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；步骤2、采用掩膜板遮盖步骤1得到的沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；步骤3、在非晶稀土氧化物薄膜的上层和硅片的底层分别溅射金属电极，得到所述MOS结构。本发明所述方法简单，易于实现，易于扩大生产；根据本发明所述方法得到的MOS结构具有优良的综合电性能，即具有较小的漏电流和较大的介电常数。 | ||
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