| 申请日期 | 2025-08-18 | 申请号 | CN202110515323.4 |
| 公开（公告）号 | CN113233876B | 公开（公告）日 | 2022-04-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京理工大学 | ||
| 简介 | 本发明提供了一种高发射率高熵陶瓷材料及其制备方法和应用，属于高熵陶瓷材料技术领域。本发明在La的晶格位置同时引入五种不同掺杂比例的稀土元素，增加了LaMgAl11O19价带顶与导带底之间的杂质能级数量，减小了禁带宽度，有利于杂质能级中的电子吸收红外光的能量向导带跃迁，进而提升相应波段的光谱发射率；本发明在LaMgAl11O19陶瓷材料中引入可以变价的Pr、Ce或Eu元素，当其价态发生变化时能增加体系中自由电子浓度(例如Pr3+向Pr4+变价)，从而促进自由载流子对红外光的吸收，也有利于光谱发射率的提高。本发明提供的陶瓷材料在3μm～5μm红外波段的光谱发射率＞0.85，具有很好的应用前景。 | ||
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