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一种高矫顽力钕铁硼磁体及其制备方法 发明申请

2023-10-02 4630 1187K 0

专利信息

申请日期 2025-07-08 申请号 CN201810178869.3
公开(公告)号 CN108565105A 公开(公告)日 2018-09-21
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 华南理工大学
简介 本发明属于永磁材料领域,公开了一种高矫顽力钕铁硼磁体及其制备方法。首先制备熔点为450~950℃的低熔点非稀土合金,作为表面扩散介质,然后将表面扩散介质置于钕铁硼磁体表面,形成扩散偶,最后将形成扩散偶的钕铁硼磁体在真空下进行扩散热处理,得到高矫顽力钕铁硼磁体。本发明所述的表面扩散工艺过程简便有效,不使用稀土合金或化合物作为扩散介质,在明显降低了钕铁硼磁体中稀土元素含量的基础上,可有效改善磁体晶界相的分布,显著提高磁体的矫顽力。


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