| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201480061139.5 |
| 公开（公告）号 | CN105793958B | 公开（公告）日 | 2018-09-18 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 全斯鲁森特公司 | ||
| 简介 | 一种在硅基板上生长GaN材料的方法，包括：提供具有(100)表面取向或带有最高达10°偏移的(100)表面取向的单晶硅基板；以及，使用外延‑扭转技术，在所述硅基板上外延生长单晶应力管理层。该单晶应力管理层包括具有(110)晶体取向和立方晶体结构的稀土氧化物。所述方法还包括在所述应力管理层上外延生长单晶缓冲层。该单晶缓冲层包括稀土氧化物，该稀土氧化物具有比应力管理层的稀土氧化物更接近于GaN的晶格间距的晶格间距。在所述缓冲层的表面上外延生长单晶GaN材料的层，所述GaN材料具有(11‑20)晶体取向和(0001)晶体取向中的一种。 | ||
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