| 申请日期 | 2025-06-29 | 申请号 | CN201610620373.8 |
| 公开（公告）号 | CN106206942B | 公开（公告）日 | 2018-09-18 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 江苏理工学院 | ||
| 简介 | 本发明提供了一种稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法，所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜的组分表达式为Erx(GeiSbj)y，x、y都为原子百分比，其中0＜x≤0.10，0.90＜y≤1，x+y＝1.00，i＝10，j＝90。本发明具有相变速度快、热稳定性好、数据保持力好、低功耗的特点，可以应用于相变存储器和相变显示器等。 | ||
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