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一种YAG荧光陶瓷及其制备方法和应用 发明申请

2023-07-23 3060 698K 0

专利信息

申请日期 2025-07-05 申请号 CN201810502348.9
公开(公告)号 CN108530071A 公开(公告)日 2018-09-14
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院福建物质结构研究所
简介 本申请公开了一种YAG荧光陶瓷及其制备方法和应用,所述YAG荧光陶瓷的发光中心离子包括Ce3+和发射红光/绿光的M,其分子式为(Y1‑xCex)3(Al1‑yMy)5O12,其中0.004≤x≤0.5,0<y≤0.5。所述制备方法包括:混合均匀原料粉体,经成型制得素坯,高温固相合成反应烧结制得。所述稀土掺杂YAG透明陶瓷与商用蓝光LED芯片封装后可获得模拟太阳光的高品质发光;与两步法制备稀土掺杂YAG透明陶瓷相比,本发明反应烧结法避免了合成YAG : Ce3+, M荧光粉步骤,具有工艺简单、生产成本低的特点。


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