| 申请日期 | 2026-03-24 | 申请号 | CN201810307807.8 |
| 公开（公告）号 | CN108517501A | 公开（公告）日 | 2018-09-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 苏州诺弘添恒材料科技有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种镍铜镓记忆合金膜的制备方法，该方法解决了现有Ni‑Cu‑Ga系列形状记忆合金脆性大，强度低和恢复力小等问题，同时保证合金的马氏体相变温度不至于降得太低，使合金抵御不可恢复应变的能力增强，从而提高了合金强度和恢复率；本发明采用磁控溅射的方法，并采用低温轧制的手段，形成的稀土记忆合膜具有较高的屈服强度，使得膜表面均匀致密、膜基结合强度高、力学性能优良。 | ||
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