| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN201810353932.2 |
| 公开（公告）号 | CN108503358A | 公开（公告）日 | 2018-09-07 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 田秋珍 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种超高温抗氧化陶瓷发热体的制备方法，属于发热体制备技术领域。本发明陶瓷发热体分为内层和外层两个部分，通过将石墨作为发热体内层的掺杂成分提高发热体内层的导热能力，添加的稀土金属能提高陶瓷电阻率和高温强度，细化陶瓷晶粒，降低蠕变率，本发明在所用的二硅化钼中钼与硅之间以金属键结合，硅和硅之间则以共价键连结，为灰色四方晶体，当加热元件的温度高于1700℃时会形成SiO2保护膜，在熔点为1710℃下会发生稠合，与SiO2融合成熔融滴，覆盖发热体内层从而保护石墨等高导热性物质不被氧化，并利用碳化硅和膨润土互相填充的协同作用，使制得的陶瓷材料在超高温下具有良好的机械性能，应用前景广阔。 | ||
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