| 申请日期 | 2026-03-07 | 申请号 | CN201810179590.7 |
| 公开（公告）号 | CN108511179A | 公开（公告）日 | 2018-09-07 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京科技大学 | ||
| 简介 | 一种热等静压低温烧结制备高磁性烧结钕铁硼的方法，属于稀土磁性材料技术领域。本发明将烧结钕铁硼磁粉进行半致密化烧结，致密度为85％～95％；再将粘度为100～500mpa.s的含重稀土化合物的悬浊液涂覆在半致密化烧结钕铁硼周围，再进行真空玻璃封管，采用热等静压700～900℃低温烧结、400～500℃回火，制备得到高密度高磁性的烧结钕铁硼磁体。Dy2S3、Dy2O3、Tb2O3、DyF3或DyH3等涂层与半致密烧结钕铁硼磁体之间存在较好的附着力，在热等静压低温烧结过程中，重稀土元素沿着晶界和孔隙进行扩散，在各个方向的气体压力下，扩散速率更快，有效地提高了扩散深度和扩散均匀性；同时，有效提高了磁体的烧结密度，细化晶粒尺寸。 | ||
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