| 申请日期 | 2026-04-22 | 申请号 | CN201810230656.0 |
| 公开（公告）号 | CN108483899A | 公开（公告）日 | 2018-09-04 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华南理工大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种掺有半导体β‑Ga2O3纳米晶体的有源光纤及其制备方法，其纤芯以无孔高硅氧玻璃为基质，半导体β‑Ga2O3纳米晶体均匀掺杂在基质内。本发明的制备方法，首先用特定组成的硼硅酸盐玻璃经分相酸浸处理后获得多孔玻璃，然后将多孔玻璃浸渍在Ga3+离子溶液中经水热沉淀，接着将多孔玻璃放在管式炉中经高温烧结后获得纤芯材料，之后用上述纤芯材料和高纯石英玻璃制备出光纤预制棒，最后，将所制备的光纤预制棒拉丝制成有源光纤。本发明一方面补充了稀土掺杂有源光纤难以产生的激光波段，另一方面避免了有源微晶玻璃光纤在拉丝过程中易晶体长大甚至析晶的制备技术难题。 | ||
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