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The metal matrix and containing a dopant polarity, n-type doped semiconductor material 发明申请

2023-12-20 3020 585K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 JP2017566730
公开(公告)号 JP2018524812A 公开(公告)日 2018-08-30
公开国别 JP 申请人省市代码 全国
申请人 ノヴァレッド ゲーエムベーハー
简介 The invention relates to a semiconducting material comprising (i) in substantially elemental form, an electropositive element selected from alkaline metals, alkaline earth metals, rare earth metals, and transition metals, and (ii) at least one first compound which is a compound comprising at least one polar group selected from phosphine oxide group or diazole group; a process for manufacturing the semiconducting material; an electronic device comprising a cathode, an anode and the semiconducting material.


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