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一种高硬度氮化硅陶瓷及其制备方法 发明授权

2023-06-30 1200 744K 0

专利信息

申请日期 2025-07-07 申请号 CN202010338205.6
公开(公告)号 CN111908923B 公开(公告)日 2022-04-05
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所; 山东威高海星医疗器械有限公司
简介 本发明涉及一种高硬度氮化硅陶瓷及其制备方法,以Si3N4作为主相,以SiC、TiC、ZrC、B4C和金刚石中的至少一种作为第二相,以Al2O3和稀土氧化物作为烧结助剂,以Li2O或/和LiF作为低温烧结助剂,经烧结后得到所述高硬度氮化硅陶瓷。


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