| 申请日期 | 2025-07-23 | 申请号 | CN201810272304.1 |
| 公开（公告）号 | CN108461389A | 公开（公告）日 | 2018-08-28 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华南理工大学 | ||
| 简介 | 本发明提供了一种提高半导体氧化物薄膜偏压热稳定性的方法。所述方法包括如下步骤：(1)将半导体氧化物的盐、稀土盐、任选地乙醇胺、任选地醋酸和任选地燃料溶于乙二醇单甲醚中，静置老化，得到前驱体溶液；(2)将步骤(1)得到的前驱体溶液涂覆于基材上，先前烘退火，再后烘退火，得到半导体氧化物薄膜。本发明通过在半导体氧化物薄膜中掺杂稀土元素，钝化了在退火过程中残留的有机杂质，从而提高了薄膜的偏压热稳定性。 | ||
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