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一种降低霍山石斛发病率的栽培基质的制备方法 发明申请

2023-10-13 4750 270K 0

专利信息

申请日期 2026-03-19 申请号 CN201810448890.0
公开(公告)号 CN108439966A 公开(公告)日 2018-08-24
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 安徽霍山县草之灵中药材有限公司
简介 本发明公开一种降低霍山石斛发病率的栽培基质的制备方法,包括以下操作步骤:(1)将硝酸钇、硝酸铋加入至水中,混合搅拌均匀后,向其中加入氨水,沉淀反应,将沉淀洗净、煅烧后,制得YBiO3纳米粉体;(2)将钾长石粉、膨润土、YBiO3纳米粉体加入至球磨机中,球磨处理后,过200目筛,得到基料;(3)将丙烯酰胺、N‑N,亚甲基双丙烯酰胺、基料、水混合搅拌均匀后,向其中加入引发剂,制得稀土多孔陶瓷;(4)将稀土多孔陶瓷、椰糠、松树皮、泥炭土混合均匀后,制得降低霍山石斛发病率的栽培基质。本发明制得的栽培基质,可有效的避免霍山石斛的根系受到病虫害的侵袭,极大地降低了霍山石斛的发病率,保证了霍山石斛的产量。


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