| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN201810545784.4 |
| 公开（公告）号 | CN108439993A | 公开（公告）日 | 2018-08-24 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华南理工大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种以AlN/C为埋烧粉的高热导率AlN陶瓷及其制备方法，该方法以氮化铝为主要埋烧粉原料，加入质量分数为0.1%~0.6%的碳粉。同时，以氮化铝为AlN陶瓷基本原料，采用稀土金属氟化物、稀土金属氧化物、碱土金属氟化物、稀土金属氧化物或它们的复合物为烧结助烧剂，经湿磨混合、干燥、造粒、成型、用埋烧粉埋烧。所得氮化铝陶瓷热导率在150~230W/(m.K), 致密度≧99.0%。优点在于，工艺简单，埋烧粉可以对氮化铝陶瓷第二相含量及其存在形式进行调控而又不引入新的杂质，促进致密化烧结，确保制备的氮化铝陶瓷在微观上具有干净的晶界，进而实现高热导率氮化铝陶瓷无压烧结的制备。 | ||
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