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一种SmCo4B基永磁薄带及其制备方法 发明授权

2023-12-20 3040 855K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 CN201710189336.0
公开(公告)号 CN106847453B 公开(公告)日 2018-08-17
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 河北工业大学
简介 本发明一种SmCo4B基永磁薄带及其制备方法,涉及含稀土金属和磁性过渡金属的和Ⅲa族元素的硬磁材料的磁体,该SmCo4B基永磁薄带的元素组成式为SmCoxCuyFezB,采用熔体离心快淬技术制备,由此制得的SmCo4B基永磁薄带该薄带的厚度为39μm~62μm,在室温下其内禀矫顽力为38.7kOe~54.1kOe,剩磁为23.1emu/g~28.1emu/g,饱和磁化强度为24.1emu/g~32.6emu/g,克服了现有技术在Fe和Cu元素同时加入Sm‑Co‑B系合金所制得的SmCo4B基永磁薄带中未形成高硬磁相,薄带磁性能仍然有待进一步提高的缺陷。


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