| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN202011037205.9 |
| 公开（公告）号 | CN114277340A | 公开（公告）日 | 2022-04-05 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明涉及等离子体刻蚀的技术领域，公开了一种耐等离子体涂层的形成方法、零部件和等离子体反应装置，所述零部件包括零部件本体和耐等离子体涂层；所述耐等离子体涂层为结晶相的钇铝化合物结晶，位于所述零部件本体的表面，所述钇铝化合物结晶还包括稀土元素。钇铝化合物结晶涂层具有更好的耐腐蚀特性，更好地保护零部件本体在等离子体刻蚀工艺过程中不被腐蚀。 | ||
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